Toshiba - SiC MOSFETs
81 ResultsPart | Availability | Purchasing | RoHS/Lead | Manufacturer | Mounting Style | Package / Case | Transistor Polarity | Number of Channels | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Channel Mode | Qualification | Tradename |
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Not Available Online | Toshiba | Through Hole | TO-3P | N-Channel | 1 Channel | 1.2 kV | 36 A | 70 mOhms | - 10 V, + 25 V | 5.8 V | 67 nC | - 55 C | + 175 C | 272 W | Enhancement | |||||
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